原子層沉積系統(tǒng)PICOSUN?- R系列
價(jià) 格：詢價(jià)
產(chǎn) 地：芬蘭更新時(shí)間：2020-10-29 14:01
品 牌：Picosun型 號：PICOSUN?- R系列
狀 態(tài)：正常點(diǎn)擊量：1501
400-006-7520
聯(lián)系我時(shí)，請說明是在上海非利加實(shí)業(yè)有限公司上看到的，謝謝！
聯(lián) 系 人：
上海非利加實(shí)業(yè)有限公司
電 話：
400-006-7520
傳 真：
400-006-7520
配送方式：
上海自提或三方快遞
聯(lián)系我時(shí)請說在上海非利加實(shí)業(yè)有限公司上看到的,謝謝！
科研領(lǐng)域：原子層沉積系統(tǒng)PICOSUN?- R系列高水平的研究和開發(fā)需要***好的設(shè)備。Picosun ALD是全球ALD設(shè)備的***。PICOSUN? R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括***具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高***的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度***小的薄膜層。在***基本的PICOSUN? R系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN? R系列獨(dú)特的擴(kuò)展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN? P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN?反應(yīng)腔室核心設(shè)計(jì)特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗(yàn)室與制造車間之間的鴻溝。對大學(xué)來說,突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中，就會吸引到企業(yè)投資。
產(chǎn)品參數(shù)
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高級型 技術(shù)參數(shù)：（其他R系列技術(shù)參數(shù)請參考HONOPROF網(wǎng)站）
| 襯底尺寸和類型 | 50-200 mm /單片
156 mm x 156 mm太陽能硅片
3D復(fù)雜表面襯底
粉末與顆粒
Roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm
多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
|
| 工藝溫度 | 50 - 500 °C , 可選更高溫度
|
| 基片傳送選件 | 氣動升降（手動裝載）
預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手（Load lock ）
半自動裝載，用PICOPLATFORM?200集群系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)
25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)
|
| 前驅(qū)體 | 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源、等離子體（最多4路氣體）
6根獨(dú)立源管線，最多加載12個(gè)前驅(qū)體源（加上Plasma管路，共7根獨(dú)立源管線）
|
| 重量 | 350 + 200 kg
|
| 尺寸（W*H*D） | 取決于選件
最小 146 cm x 146 cm x 84 cm
最大 189 cm x 206 cm x 111 cm
|
| 選件 | 集群工具，PICOFLOW? 擴(kuò)散增強(qiáng)器，集成橢偏儀，QCM，RGA，超高真空兼容，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設(shè)計(jì)，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載）
|
| 驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn) | 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3工藝 |
產(chǎn)品介紹
科研領(lǐng)域：原子層沉積系統(tǒng)PICOSUN?- R系列高水平的研究和開發(fā)需要***好的設(shè)備。Picosun ALD是全球ALD設(shè)備的***。PICOSUN? R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括***具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高***的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度***小的薄膜層。在***基本的PICOSUN? R系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN? R系列獨(dú)特的擴(kuò)展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN? P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN?反應(yīng)腔室核心設(shè)計(jì)特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗(yàn)室與制造車間之間的鴻溝。對大學(xué)來說,突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中，就會吸引到企業(yè)投資。
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
